Разгон оперативной памяти

Тайминги, частота, Command Rate и базовый порядок настройки памяти.

Тайминги

01tCL

Минимальное время между подачей команды на чтение и началом передачи данных

02tRCD

Время, необходимое для активизации строки банка

03tRP

Время, необходимое для предварительного заряда банка

04tRAS

Минимальное время между активацией строки и подачей команды на предзаряд

05tWTR

Минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в одном ранке

06tREFI

Определяет временной интервал между всеми процедурами регенерации памяти

07tCWL

Задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS. Аналог CL, но для записи

08tRC

Минимальное время между активацией строк одного банка, разгон памяти актуален только при tRC ≤ 60

09tRRD

Минимальное время между активацией строк разных банков, используется для реализации Interleaving

10tFAW

Минимальное время активности четырех окон. Применяется в восьмибанковых устройствах

11tWR

Минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды строки для одного банка

12tRTP

Минимальный интервал между подачей команды на чтение до команды на предварительный заряд

13tCCD

Устанавливает задержку между двумя командами CAS, когда последующее чтение обращается к другому

14tRFC

Минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации

15tRDWR

Число тактов между операциями чтения и записи

16tRDRD

Число тактов между операциями чтения

17tWRWR

Число тактов между операциями записи

18tWRRD

Число тактов между операциями записи и чтения